Транзистор SW036R10E8S 100 В/175 А

Транзистор SW036R10E8S 

Найменування приладу: SWP036R10E8S
   Маркування: SW036R10E8S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярність: N
   Pdⓘ - Максимальна розсіювана потужність: 312.5 W
   |Vds|ⓘ - Гранично допустима напруга сток-восток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Гранично допустима напруга затвор-джерело: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Порогова напруга увімкнення: 4 V
   Максимально допустимий постійний струм стоку |Id|: 175 A
   Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C
   Загальний заряд затвора (Qg): 85 nC
   Час наростання (tr): 35 ns
   Вихідна ємність (Cd): 939 pf
   Опір стік-істок відкритого транзистора (Rds): 0.0046 Ohm
   Тип корпусу: TO220