Транзистор NCEP039N10M • N-канальний MOSFET • 100V 135A • Низький RDS(on)

Транзистор NCEP039N10M • N-канальний MOSFET • 100V 135A • Низький RDS(on)

Опис:
NCEP039N10M — потужний N-канальний MOSFET-транзистор з напругою стік-витік 100V та струмом стоку до 135A. Ідеальний для високоточних силових застосувань: імпульсні блоки живлення, драйвери моторів, DC-DC перетворювачі. Низький опір у відкритому стані (RDS(on)) мінімізує втрати потужності, підвищуючи ККД системи.

Які переваги?

• Висока потужність: Струм до 135A та напруга 100V для вимогливих завдань.

• Ефективність: Низький RDS(on) знижує нагрів та енерговтрати.

• Надійність: Стабільна робота у широкому температурному діапазоні.

Унікальна перевага:
Оптимізована структура кристала забезпечує високу швидкість перемикання та захист від перевантажень, що критично для імпульсних схем та інверторів.

Почніть прямо зараз:
«Максимізуйте ефективність ваших проектів — оберіть потужність без компромісів!»

Характеристики:

• Тип: N-канальний MOSFET.

• Напруга VDS: 100V.

• Струм стоку (ID): 135A (при +25°C).

• Опір RDS(on): 3.9 мОм (при VGS=10V).

• Корпус: TO-220 (або уточніть актуальний).

• Робоча температура: -55°C...+175°C.

Важливо!

• Використовуйте радіатор для відведення тепла при високих струмах.

• Дотримуйтесь полярності при підключенні (затвор, витік, стік).

• Не перевищуйте максимальні значення VDS та ID.

Завітайте до нас!
«У каталозі ви знайдете інші MOSFET-транзистори та компоненти для силової електроніки».