Описание:
Высокомощный MOSFET транзистор HYG100N20NS1P в корпусе TO-220 с напряжением 200V и током стока 140A. Компонент предназначен для эффективного управления мощностью в силовых электронных схемах. Идеален для использования в импульсных источниках питания, инверторах, усилителях и системах управления двигателями. Технические характеристики обеспечивают высокую надежность и минимальные потери при переключении. HYG100N20NS1P представляет собой усовершенствованную версию с низким сопротивлением открытого канала для максимальной эффективности.
Какие преимущества?
-
Высокая мощность 200В/140А для управления серьезными нагрузками
-
TO-220 корпус для удобного монтажа и эффективного теплоотвода
-
Низкое сопротивление открытого канала снижает потери энергии
Уникальное преимущество:
HYG100N20NS1P отличается оптимальным сочетанием предельных рабочих параметров и корпуса TO-220, что делает его одним из самых эффективных решений в своем классе для мощных приложений.
Начните прямо сейчас:
Модернизируйте свои силовые схемы с надежным компонентом!
Характеристики:
-
Модель: HYG100N20NS1P / HYG100N20P
-
Тип корпуса: TO-220
-
Напряжение: 200V
-
Ток стока: 140A
-
Тип: N-Channel MOSFET
Важно!
-
Требует правильного расчета схемы управления и теплоотвода
-
Не используйте при превышении максимально допустимых параметров
Заходите к нам на сайт sell.in.ua - найдете много интересного!
- Цена: 116 ₴

