IGBT транзистор CRG40T60AN3H | 600В 40А TO-3P | G40T60AN3H

Мощный IGBT транзистор CRG40T60AN3H (аналог G40T60AN3H) в корпусе TO-3P. Прибор предназначен для использования в высоковольтных и сильноточных цепях. Основные параметры: напряжение коллектор-эмиттер 600В, постоянный ток коллектора 40А, рассеиваемая мощность 280Вт. Выполнен по передовой технологии Trench FS (Field Stop) III поколения, что обеспечивает низкое напряжение насыщения (типовое значение 1.9В) и высокую скорость переключения. Транзистор имеет положительный температурный коэффициент, что упрощает параллельное подключение нескольких приборов для наращивания выходной мощности. Корпус TO-3P (TO-3PN) обеспечивает эффективный отвод тепла и надежную фиксацию на радиаторе.

Какие преимущества?

• Высокая надежность: технология Trench FS III гарантирует стабильную работу в жестких условиях при температурах от -55 до +150°C .

• Низкие потери: малое напряжение насыщения (1.9В) снижает нагрев и повышает КПД устройства .

• Универсальность: идеально подходит для сварочных инверторов, источников бесперебойного питания (ИБП), частотных преобразователей и солнечных инверторов .

Уникальное преимущество:
Прибор сочетает передовую технологию Trench FS III с оптимизированными динамическими характеристиками (время включения 46.8нс, выключения 147.7нс), что делает его идеальным выбором для высокочастотных применений, где требуется минимальный разогрев кристалла и максимальная плотность мощности на единицу площади .

Начните прямо сейчас:
Модернизируйте свою силовую технику с проверенными компонентами!

Характеристики:

• Производитель: CRMICRO (华润微) 

• Тип: IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором)

• Корпус: TO-3P (TO-3PN) 

• Напряжение коллектор-эмиттер (Vces): 600В 

• Ток коллектора (Ic): 40А 

• Импульсный ток коллектора (Icm): 120А 

• Рассеиваемая мощность (Pd): 280Вт 

• Напряжение насыщения (VCE(sat)): 1.9В тип. 

• Рабочая температура (Tj): -55…+150°C 

• Наличие встроенного диода: Да 

• Технология: Trench FS III 

Важно!

• Для обеспечения номинальной рассеиваемой мощности обязателен монтаж на радиатор с использованием термопасты.

• При параллельном включении нескольких транзисторов необходимо использовать отдельные резисторы в цепи затвора для каждого прибора.

• Максимальное напряжение затвор-эмиттер не должно превышать ±20В.

Заходите к нам на сайт sell.in.ua - найдете много интересного!