IGBT транзистор CRG40T60AN3H | 600В 40А TO-3P | G40T60AN3H

Опис:
Потужний IGBT транзистор CRG40T60AN3H (аналог G40T60AN3H) у корпусі TO-3P. Прилад призначений для використання у високовольтних та сильнострумових колах. Основні параметри: напруга колектор-емітер 600В, постійний струм колектора 40А, потужність, що розсіюється, 280Вт. Виконаний за передовою технологією Trench FS (Field Stop) III покоління, що забезпечує низьку напругу насичення (типове значення 1.9В) та високу швидкість перемикання. Транзистор має позитивний температурний коефіцієнт, що спрощує паралельне підключення кількох приладів для нарощування вихідної потужності. Корпус TO-3P (TO-3PN) забезпечує ефективне відведення тепла та надійну фіксацію на радіаторі.

Які переваги?

• Висока надійність: технологія Trench FS III гарантує стабільну роботу в жорстких умовах за температур від -55 до +150°C .

• Низькі втрати: мала напруга насичення (1.9В) знижує нагрівання та підвищує ККД пристрою .

• Універсальність: ідеально підходить для зварювальних інверторів, джерел безперебійного живлення (ДБЖ), перетворювачів частоти та сонячних інверторів .

Унікальна перевага:
Прилад поєднує передову технологію Trench FS III з оптимізованими динамічними характеристиками (час ввімкнення 46.8нс, вимкнення 147.7нс), що робить його ідеальним вибором для високочастотних застосувань, де потрібен мінімальний розігрів кристала та максимальна щільність потужності на одиницю площі .

Почніть прямо зараз:
Модернізуйте свою силову техніку з перевіреними компонентами!

Характеристики:

• Виробник: CRMICRO (华润微) 

• Тип: IGBT (біполярний транзистор з ізольованим затвором)

• Корпус: TO-3P (TO-3PN) 

• Напруга колектор-емітер (Vces): 600В 

• Струм колектора (Ic): 40А 

• Імпульсний струм колектора (Icm): 120А 

• Розсіювана потужність (Pd): 280Вт 

• Напруга насичення (VCE(sat)): 1.9В тип. 

• Робоча температура (Tj): -55…+150°C 

• Наявність вбудованого діода: Так 

• Технологія: Trench FS III 

Важливо!

• Для забезпечення номінальної потужності, що розсіюється, обов'язковий монтаж на радіатор з використанням термопасти.

• При паралельному ввімкненні кількох транзисторів необхідно використовувати окремі резистори в колі затвора для кожного приладу.

• Максимальна напруга затвор-емітер не повинна перевищувати ±20В.

Заходьте до нас на сайт sell.in.ua - знайдете багато цікавого!