Транзистор NCEP039N10M • N-канальный MOSFET • 100V 135A • Низкое RDS(on)

Транзистор NCEP039N10M • N-канальный MOSFET • 100V 135A • Низкое RDS(on)

Описание:
NCEP039N10M — мощный N-канальный MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток 100V и током стока до 135A. Идеален для высокоточных силовых приложений: импульсные блоки питания, моторные драйверы, DC-DC преобразователи. Низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) минимизирует потери мощности, повышая КПД системы.

Какие преимущества?

• Высокая мощность: Ток до 135A и напряжение 100V для требовательных задач.

• Эффективность: Низкое RDS(on) снижает нагрев и энергопотери.

• Надежность: Стабильная работа в широком температурном диапазоне.

Уникальное преимущество:
Оптимизированная структура кристалла обеспечивает высокую скорость переключения и защиту от перегрузок, что критично для импульсных схем и инверторов.

Начните прямо сейчас:
«Максимизируйте эффективность ваших проектов — выбирайте мощность без компромиссов!»

Характеристики:

• Тип: N-канальный MOSFET.

• Напряжение VDS: 100V.

• Ток стока (ID): 135A (при +25°C).

• Сопротивление RDS(on): 3.9 мОм (при VGS=10V).

• Корпус: TO-220 (или уточните актуальный).

• Рабочая температура: -55°C...+175°C.

Важно!

• Используйте радиатор для отвода тепла при высоких токах.

• Соблюдайте полярность при подключении (затвор, исток, сток).

• Не превышайте максимальные значения VDS и ID.

Загляните к нам!
«В каталоге вы найдете другие MOSFET-транзисторы и компоненты для силовой электроники».